长鑫存储（CXMT）被曝正在合肥测试键合DRAM试验线——用晶圆级混合键合把存储阵列与逻辑电路拆开重造，试图在不依赖EUV的前提下另辟蹊径。一边是三星、SK海力士、美光把持三十年的DRAM旧秩序，一边是中国厂商押注"三维重构"换道超车。
一、发生了什么？——长鑫存储开启键合DRAM试验线1、韩媒担忧长鑫存储凭借键合DRAM缩小与韩企差距：
根据韩国媒体的爆料，长鑫存储正在合肥测试一条键合DRAM（Bonded DRAM）试验线，目标是用DUV多重曝光配合晶圆级键合，把传统DRAM中原本做在同一片芯片上的“存储阵列”和“外围逻辑/控制电路”拆开制造，再通过混合键合重新贴合在一起，从而在不完全依赖EUV的情况下，尝试做出更高密度、更高性能的新型DRAM。
韩媒将CXMT在合肥测试的新一代Bonded DRAM试产线描述为“后HBM世代”的潜在竞争方向，韩国舆论担忧中国厂商借Bonded DRAM、HBM和长江存储的NAND键合经验，缩小与三星、SK海力士的技术差距。此外，公开市场消息也显示，CXMT近年产能扩张速度较快，SemiAnalysis预计其2026年底月产能可能达到约35万片晶圆，接近美光估算水平，这也是韩媒把“技术路线变化”和“产能扩张压力”放在一起讨论的背景。
2、什么是键合DRAM？
要讲清楚这件事，先要把两个概念拆开：Hybrid Bonding是工艺，Bonded DRAM是架构。
混合键合本质上是一种先进连接工艺，它通过介电层键合和铜-铜直接互连，把两片晶圆或两颗芯片面对面接在一起，取消传统焊球或微凸点，从而把连接间距压到10微米以下，显著提高互连密度、带宽和能效。
Bonded DRAM不是一种封装，而是一种重新设计DRAM的方法。传统DRAM像是在一块地上同时建“仓库”和“办公室”：仓库存数据，办公室负责调度、读写和传输数据。过去这两部分都做在同一片芯片上，但问题是，仓库最需要的是便宜、密集、省面积，而办公室越来越需要高速、复杂、强计算，两者对工艺的要求越来越不一样，放在一起就会互相迁就。
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